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• 作者：(新加坡)陈全胜(Chuan Seng Tan),(美)罗纳德·J.古特曼(Ronald J.Gutmann),(美)L.拉斐尔·赖夫(L.Rafael Reif) 著;单光宝,吴龙胜,刘松 译 著作• 出版社：中国宇航出版社• 定价：88• ISBN：9787515912035• 出版时间：目录章晶圆级3DIC综述
1.1背景及引言
1.2动机——超越摩尔定律的方法
1.2.1互连瓶颈
1.2.2芯片面积
1.2.3异质集成
1.2.4堆叠式CMOS
1.33DIC的分类
1.3.1单片集成方式
1.3.2组装方式
1.3.3晶圆级3D设计机遇
1.4本书的构成
参考文献
第2章单片3D集成电路
2.1引言
2.2上层采用大颗粒多晶硅的3D电路
2.2.1上层多晶硅再结晶技术
2.2.23D逻辑电路制作工艺分类
2.3采用小晶粒多晶硅层的3D电路
2.3.1SRAM
2.3.2非易失性存储器：交叉点存储器
2.3.3非易失性存储器：TFT-SONOS
2.4非硅单片3D集成电路
2.5小结
参考文献
第3章堆叠式CMOS技术
3.1堆叠式CMOS结构
3.2堆叠式CMOS器件设计及工艺
3.2.1逐层加工工艺
3.2.2多层同步加工工艺
3.2.3版图问题
3.3基于SOI晶圆顶层硅和衬底的堆叠式CMOS
3.4堆叠FinCMOS技术
3.5小结
参考文献
第4章用于3DIC的晶圆级键合技术
4.1引言
4.2晶圆级键合设备概述
4.3表面预处理
4.3.1表面预处理——湿法化学处理
4.3.2表面预处理——等离子体活化
4.3.3表面预处理——等离子体与湿法化学组合工艺
4.3.4表面预处理——蒸汽清洗
4.4键合对准机——设备工作原理
4.5对准策略
4.6晶圆传送夹具
4.7晶圆级键合技术
4.8用于3D集成的晶圆级键合技术
4.8.1硅-硅直接键合
4.8.2BCB键合
4.8.3铜-铜扩散键合
第5章TSV加工、背面减薄及载片技术
第6章用于3DIC的晶圆级铜键合技术
第7章铜-锌固液扩散键合
第8章基于SOI的3D电路集成技术
第9章高性能CMOS3D制作技术
0章基于绝缘层黏附键合的3D集成
1章直接复合键合
2章3D存储器
3章3D集成电路架构
4章3DIC的热挑战
5章现状及展望内容简介本书是一部系统论述3D集成工艺技术的译著，内容涵盖前端工艺至后端工艺，详细介绍了各种3D集成技术的适用范围和局限性，列举了相关工艺的典型应用和潜在应用，并指出了这些关键工艺中存在的问题与挑战。本书适合从事立体集成、集成电路／微系统、优选封装技术研究的工程技术人员以及管理人员阅读和使用，同时也可作为高等院校相关专业师生的参考教材。
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